Number of the records: 1  

Pochopení interakce přechodných kovů s defektivním grafenem pomocí DFT

  1. Title statementPochopení interakce přechodných kovů s defektivním grafenem pomocí DFT [rukopis] / Jan Navrátil
    Additional Variant TitlesPochopení interakce přechodných kovů s defektivním grafenem pomocí DFT
    Personal name Navrátil, Jan, (dissertant)
    Translated titleInsights into the interaction of transition metal atoms with defective graphene from DFT
    Issue data2019
    Phys.des.73 s. (120 000 znaků) : grafy, schémata, tab.
    NoteOponent Petr Lazar
    Ved. práce Piotr Blonski
    Another responsib. Lazar, Petr (opponent)
    Blonski, Piotr (thesis advisor)
    Another responsib. Univerzita Palackého. Katedra fyzikální chemie (degree grantor)
    Keywords grafen * defektivní grafen * grafen s vakancemi * pyridinický dusík * atomy přechodných kovů * katalýza pomocí samostatných atomů * uchování dat pomocí samostatných atomů * adsorpční energie * DOS * Baderovy náboje * MAE * SOC * DFT * graphene * defective graphene * vacancy graphene * pyridinic nitrogen * transition metal atoms * single atom catalysis * single atom data storage * adsorption energy * DOS * Bader charges * MAE * SOC * DFT
    Form, Genre bakalářské práce bachelor's theses
    UDC (043)378.22
    CountryČesko
    Languageangličtina
    Document kindPUBLIKAČNÍ ČINNOST
    TitleBc.
    Degree programBakalářský
    Degree programChemie
    Degreee disciplineNanomateriálová chemie
    book

    book

    Kvalifikační práceDownloadedSizedatum zpřístupnění
    00232917-859285442.pdf3711.3 MB06.05.2019
    PosudekTyp posudku
    00232917-ved-741756740.docxPosudek vedoucího
    00232917-opon-589239792.docxPosudek oponenta

    Techniky uchování dat pomocí jednotlivých atomů a katalýza pomocí samostatných atomů pro správnou funkci potřebují specifickou pozici, která by pevně uchytila "aktivní" atomy a zabránila jim ve shlukování. Tato teoretická bakalářská práce ukazuje, že adsorpce vybraných atomů přechodných kovů (Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt) do defektů v defektivním grafenu (jedna vakance, jedna vakance dekorovaná pyridinickými dusíky, dvojvakance, dvojvakance dekorovaná pyridinickými dusíky) je energeticky výhodná, ve spoustě případů byla vazba silnější než 5 eV. Zatímco atomy Pt jsou na čistém grafenu poměrně mobilní, vakance ukotvují adatom silněji než pozice vzdálenější od defektu. Strukturní, elektronické a magnetické vlastnosti byly pečlivě analyzovány. Trendy ve vypočtených charakteristikách byly prozkoumány a byla vypočtena jejich korelace s adsorpční energií. Relativistické nekolineární kalkulace ukázaly významné hodnoty magnetické anizotropní energie IrDVG (~ 7 meV) s jednoduchou osou magnetizace kolmou na rovinu grafenu. Opačným případem je IrSVNG, kde je jednoduchá osa paralelní s rovinou grafenu oproti ose kolmé na rovinu grafenu preferována o ~ 10 meV. Vlastnosti obou systémů jsou diskutovány na základě relativistických elektronických struktur.Single atom data storage and single atom heterogenous catalysis need for proper function specific position that thoroughly holds the concerned "active" atoms and prevents them from clustering. Presented theoretical thesis shows that adsorption of selected transition metal atoms (Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt) to defects in defective graphene (single vacancy, single vacancy decorated by pyridinic nitrogen atoms, divacancy, divacancy decorated by pyridinic nitrogen atoms) is energetically favourable, in many cases the binding is stronger than 5 eV. While Pt atoms at pristine graphene are rather mobile, vacancies anchor the adatom rather strongly, compared to the positions farther from the defect. Structural, electronic and magnetic properties were thoroughly analysed. Trends in the calculated characteristics were inspected and correlation with adsorption energy was evaluated. Relativistic non-collinear calculations showed remarkable magnetic anisotropy energy of IrDVG (~ 7 meV) with easy axis perpendicular to graphene plane. Contrary to this, magnetic axis perpendicular to the graphene plane of IrSVNG is disfavoured by ~ 10 meV in comparison with easy magnetic axis parallel to the graphene layer. Properties of both systems are discussed based on the relativistic electronic structures.

Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.