Práce se zabývá zkoumáním vlivu deformace fluorografenu na velikost zakázaného pásu za pomoci výpočtů založených na teorii funkcionálu hustoty. Deformace v tahu má zásadní vliv na elektronické vlastnosti fluorografenu a velikost zakázaného pásu se s deformací zmenšuje. Oproti tomu, v případě různé velikosti výšky i délky vlny ve fluorografenu byla velikost zakázaného pásu stále stejná. Bodové defekty ve zvlněném fluorografenu ovlivňují elektronické vlastnosti podobně jako v případě rovinného fluorografenu.In this work the dependence of the band gap on the distortion of fluorographene was studied with density functional theory. The strain significantly change electronic properties of fluorographene, the band gap wide is decreased. On the other hand, various lenght and hight of the waves in fluorographene lead to same band gap. The effect of the point defects is similar for corrugated and planar fluorographene.