Počet záznamů: 1  

Pochopení interakce přechodných kovů s defektivním grafenem pomocí DFT

  1. Údaje o názvuPochopení interakce přechodných kovů s defektivním grafenem pomocí DFT [rukopis] / Jan Navrátil
    Další variantní názvyPochopení interakce přechodných kovů s defektivním grafenem pomocí DFT
    Osobní jméno Navrátil, Jan, (autor diplomové práce nebo disertace)
    Překl.názInsights into the interaction of transition metal atoms with defective graphene from DFT
    Vyd.údaje2019
    Fyz.popis73 s. (120 000 znaků) : grafy, schémata, tab.
    PoznámkaOponent Petr Lazar
    Ved. práce Piotr Blonski
    Dal.odpovědnost Lazar, Petr (oponent)
    Blonski, Piotr (vedoucí diplomové práce nebo disertace)
    Dal.odpovědnost Univerzita Palackého. Katedra fyzikální chemie (udelovatel akademické hodnosti)
    Klíč.slova grafen * defektivní grafen * grafen s vakancemi * pyridinický dusík * atomy přechodných kovů * katalýza pomocí samostatných atomů * uchování dat pomocí samostatných atomů * adsorpční energie * DOS * Baderovy náboje * MAE * SOC * DFT * graphene * defective graphene * vacancy graphene * pyridinic nitrogen * transition metal atoms * single atom catalysis * single atom data storage * adsorption energy * DOS * Bader charges * MAE * SOC * DFT
    Forma, žánr bakalářské práce bachelor's theses
    MDT (043)378.22
    Země vyd.Česko
    Jazyk dok.angličtina
    Druh dok.PUBLIKAČNÍ ČINNOST
    TitulBc.
    Studijní programBakalářský
    Studijní programChemie
    Studijní oborNanomateriálová chemie
    kniha

    kniha

    Kvalifikační práceStaženoVelikostdatum zpřístupnění
    00232917-859285442.pdf3711.3 MB06.05.2019
    PosudekTyp posudku
    00232917-ved-741756740.docxPosudek vedoucího
    00232917-opon-589239792.docxPosudek oponenta

    Techniky uchování dat pomocí jednotlivých atomů a katalýza pomocí samostatných atomů pro správnou funkci potřebují specifickou pozici, která by pevně uchytila "aktivní" atomy a zabránila jim ve shlukování. Tato teoretická bakalářská práce ukazuje, že adsorpce vybraných atomů přechodných kovů (Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt) do defektů v defektivním grafenu (jedna vakance, jedna vakance dekorovaná pyridinickými dusíky, dvojvakance, dvojvakance dekorovaná pyridinickými dusíky) je energeticky výhodná, ve spoustě případů byla vazba silnější než 5 eV. Zatímco atomy Pt jsou na čistém grafenu poměrně mobilní, vakance ukotvují adatom silněji než pozice vzdálenější od defektu. Strukturní, elektronické a magnetické vlastnosti byly pečlivě analyzovány. Trendy ve vypočtených charakteristikách byly prozkoumány a byla vypočtena jejich korelace s adsorpční energií. Relativistické nekolineární kalkulace ukázaly významné hodnoty magnetické anizotropní energie IrDVG (~ 7 meV) s jednoduchou osou magnetizace kolmou na rovinu grafenu. Opačným případem je IrSVNG, kde je jednoduchá osa paralelní s rovinou grafenu oproti ose kolmé na rovinu grafenu preferována o ~ 10 meV. Vlastnosti obou systémů jsou diskutovány na základě relativistických elektronických struktur.Single atom data storage and single atom heterogenous catalysis need for proper function specific position that thoroughly holds the concerned "active" atoms and prevents them from clustering. Presented theoretical thesis shows that adsorption of selected transition metal atoms (Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt) to defects in defective graphene (single vacancy, single vacancy decorated by pyridinic nitrogen atoms, divacancy, divacancy decorated by pyridinic nitrogen atoms) is energetically favourable, in many cases the binding is stronger than 5 eV. While Pt atoms at pristine graphene are rather mobile, vacancies anchor the adatom rather strongly, compared to the positions farther from the defect. Structural, electronic and magnetic properties were thoroughly analysed. Trends in the calculated characteristics were inspected and correlation with adsorption energy was evaluated. Relativistic non-collinear calculations showed remarkable magnetic anisotropy energy of IrDVG (~ 7 meV) with easy axis perpendicular to graphene plane. Contrary to this, magnetic axis perpendicular to the graphene plane of IrSVNG is disfavoured by ~ 10 meV in comparison with easy magnetic axis parallel to the graphene layer. Properties of both systems are discussed based on the relativistic electronic structures.

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.